在用于蚀刻半导体晶片或样品(101)的装置中,半导体晶片或样品被放置在置于第一腔室(103)内的样品支座(104)上。半导体晶片或样品与样品支座的结合体被封入第一腔室内的第二腔室(130)内。从第二腔室排出气体,并且将蚀刻气体引入第二腔室而不引入第一腔室,以蚀刻半导体晶片或样品。
申请人 埃克提斯公司
地址 美国宾夕法尼亚州
发明(设计)人 凯尔·S·勒布伊茨 爱德华·F·欣德
主分类号 C23F1/00(2006.01)I
分类号 C23F1/00(2006.01)I H01L21/306(2006.01)I
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专利更多信息
| 主权项 | 1.一种半导体晶片或样品蚀刻系统,包括: 第一腔室,其具有装载口,所述装载口用于在所述第一腔室的外部和内部之间传送半导体晶片或样品,所述第一腔室还具有与所述第一腔室的内部连通的真空口,其中所述第一腔室的内部限定了第一容积; 样品支座,设置在所述第一腔室的内部,用于支撑已通过所述装载口的所述半导体晶片或样品;以及 副腔组件,设置在所述第一腔室内,所述副腔组件可在打开位置和闭合位置之间移动,其中,在所述打开位置,通过所述装载口的所述半导体晶片或样品可被装载在所述样品支座上,在所述闭合位置,所述副腔组件与所述第一腔室的结合形成第二腔室,所述第二腔室限定了更小的、其内包含有所述样品支座和所述真空口的第二容积。 |
| 公开(公告)号 | 101128622 |
| 公开(公告)日 | 2008-02-20 |
| 专利代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 |
| 代理人 | 余朦 方挺 |
| 颁证日 | |
| 优先权 | 2005.2.22 US 60/655,094 |
| 国际申请 | 2006-02-22 PCT/US2006/006090 |
| 国际公布 | 2006-08-31 WO2006/091588 英 |
| 进入国家日期 | 2007.08.24 |
