本发明提供一种高性能的SNO2类溅射靶,其具有高相对密度,而且可以在防止异常放电和防止粒子产生的同时、在高成模速度下形成兼具低比电阻和高透过率两者的溅射膜。该溅射靶的制造方法中包含将未烧结的成型体在1550～1650℃下进行烧结的工序,其中,所述未烧结的成型体以SNO2为主要成分、含有NB2O5和TA2O5共计1.15～10质量%、NB2O5/TA2O5的含量质量比为0.15～0.90。
申请人 三井金属矿业株式会社
地址 日本东京都
发明(设计)人 森中泰三
主分类号 C23C14/34(2006.01)I
分类号 C23C14/34(2006.01)I C04B35/457(2006.01)I
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本专利更多信息
| 主权项 | 1.SNO2类溅射靶的制造方法,包括:预先制备以SNO2为主要成分、含有NB2O5和TA2O5共计1.15～10质量%、NB2O5/TA2O5的含量质量比为0.15～0.90的未烧结的成型体, 然后将该成型体在1550～1650℃下进行烧结的工序。 |
| 公开(公告)号 | 101128618 |
| 公开(公告)日 | 2008-02-20 |
| 专利代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 代理人 | 曹雯 李炳爱 |
| 颁证日 | |
| 优先权 | 2005.11.9 JP 324837/2005 |
| 国际申请 | 2006-11-08 PCT/JP2006/322253 |
| 国际公布 | 2007-05-18 WO2007/055231 日 |
| 进入国家日期 | 2007.08.27 |
